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                                           高純鎳帶箔的工藝原理

  我司全部采用高純度鎳基材料作為母料,根椐鎳的相轉變規律,熔煉前在固相區,用分段還原法將鎳中較有害的雜質硫、磷降低,進而用造渣法和真空電子來精煉提純,真空度－3乇.

真空熔煉有以下優點:
•    液體金屬中所含氣體能排出,使熔體的含氣量很低.
•    合金元素的氧化損失大幅度降低,熔體的氧化夾渣物急劇減少.
•    熔體不用履蓋劑和熔劑,熔體不易污染.
•    金屬用合金的性能,可其沖擊韌性80%,持久強度與延伸率分別30%,斷面收縮率50%.

  分析16個雜質元素,純度99.986%,分析11個雜質元素,純度99.99%,其它元素總量≤0.01%,與世界上鎳加工先進的相比,鎳純度明顯.分段還原和造渣技術,屬國內,硫、磷分別降到10ppm以下,電阻率ρ≤0.068 Ω•mm2/M,保證電阻率的穩定和均勻.可滿足米電產品生產要求.加工采用熱開坯冷軋制,既減少了污染,又節約了能源.中軋、精軋機均采用進口多輥機壓延,厚度較薄0.02mm,公差控制在±0.001mm,材質的硬度均勻,規格狀態有M、1/4Y、1/2Y、3/4Y、Y態,窄帶工藝由帶材剪切而成, 采用德國進口設備加工,截面為規整的矩形,此工藝、難度大、產品優.較窄1mm寬,產品較小尺寸0.02*1mm,彎曲度≤0.5mm/M,產品焊接性能好,具有良好的導電性和抗氧化性,光潔度好,狀態規格齊全.
 

                              高純度鎳帶箔特性

物理特性：

密度在700F時: 8.90 g/cm3; 0.322 ib./cu.in
線膨脹系數(英寸/英寸/0C): 20-100℃ 0.000014 20-200℃ 0.000014
線膨脹系數(英寸/英寸/0C): 20-500℃ 0.000015 20-700℃ 0.000016
楊氏彈性模量,E,PSI×10-6 30.1
導電率:22.6% IACS
電阻率在200C時:microhm.cm:7.63 ohms/cir.mil./ft.:45.9
熱導率:cal./cm.2sec.0C/cm.at700C:0.206 BTU/ft.2/hr./0F/ft.at 1580C:49.9
電阻溫度系數:200-1000C/0C 0.0058 200-5000C/0C 0.0074 200-8000C/0C 0.0060
原子序數 28     原子量 58.1
原子半徑(A) 1.25   晶體結構f.c.c
晶體常數(A) 3.52   熔點 1.4530C;2.6470F   沸點2.7300C;4.9500F
熔解潛熱 73.8cal./g  比熱在200C-BTU/ib./0F時 0.105
間電位 0.25volts  聲速 16.300ft./sec.;4.973m/sec.
泊松比 0.31    熱中子截面(靶)吸收:4.6   散射:17.5

磁性：

居里溫度 3530C; 6650F 初導磁率130
較大導磁率124     飽和感應(B) 6050
剩余磁感應(B) 3250    抗磁性(H) 3.0